Kamis, 09 Januari 2014

Bahasa Inggris

Bahasa Inggris


Bahasa Inggris
English
Dituturkan diBritaniaASKanadaAustralia dan lainnya
WilayahKebanyakan Eropa BaratAmerika Utara dan Australasia
Jumlah penutur
Penutur asli: 402 juta
Sebagai bahasa kedua: sekitar 600 juta  (tidak ada tanggal)
Rumpun bahasaIndo-Eropa
Status resmi
Bahasa resmi dilihat di bawah
Kode-kode bahasa
ISO 639-1en
ISO 639-2eng
ISO 639-3
Bahasa Inggris adalah sebuah bahasa yang berasal dari Inggris, merupakan bahasa utama di Britania Raya (termasuk Inggris), Amerika Serikat, serta banyak negara lainnya, dan termasuk rumpun bahasa Jermanik Barat. Bahasa ini berawal dari kombinasi antara beberapa bahasa lokal yang dipakai oleh orang-orang NorwegiaDenmark, dan Anglo-Saxon dari abad ke-6 sampai 10. Lalu pada tahun 1066 dengan ditaklukkan Inggris olehWilliam the Conqueror, sang penakluk dari NormandiaPerancis Utara, maka bahasa Inggris dengan sangat intensif mulai dipengaruhi bahasa Latindan bahasa Perancis. Dari seluruh kosakata bahasa Inggris modern, diperkirakan ±50% berasal dari bahasa Perancis dan Latin.

Daftar isi

   
  • 1 Sejarah bahasa Inggris
  • 2 Bahasa–bahasa kerabat
  • 3 Status bahasa
  • 4 Fonologi
    • 4.1 Vokal
    • 4.2 Konsonan
      • 4.2.1 Catatan untuk konsonan
  • 5 Sistem penulisan
  • 6 Tata bahasa
    • 6.1 Sistem kala
      • 6.1.1 Rumus sistem kala
  • 7 Referensi
  • 8 Lihat pula
  • 9 Pranala luar
    • 9.1 Umum
    • 9.2 Kamus

Sejarah bahasa Inggris

Perkembangan bahasa Inggris biasa dibagi menjadi tiga masa:
  • Bahasa Inggris Kuno atau bahasa Anglo-Saxon, antara 700 – 1066
  • Bahasa Inggris Tengahan, antara 1066 – 1500
  • Bahasa Inggris Baru, mulai dari abad ke 16
  • Bahasa Inggris Gaul atau bahasa Slang yang sering digunakan remaja, mulai dari abad ke 17

Bahasa–bahasa kerabat

Bahasa Inggris tergolong rumpun bahasa Jermanik, dan terutama dari cabang Jermanik Barat. Kerabat terdekatnya adalah bahasa Friesland. Selain itu bahasa Belanda (termasuk pula bahasa-bahasa Jerman hilir lainnya) juga masih dekat. Bahasa Jerman (Bahasa Jerman hulu) agak lebih jauh lagi.
Tetapi dari semua bahasa Jermanik, bahasa Inggris adalah bahasa yang paling lain secara tatabahasa dan kosakata. Kosakata bahasa Inggris banyak dipengaruhi oleh bahasa Perancis, yang masuk melalui penaklukan bangsa Norman dan belakangan melalui penggunaan bahasa Perancis sebagai bahasa resmi selama beberapa abad di lingkungan pemerintahan.

Status bahasa

Selain itu bahasa Inggris juga merupakan salah satu bahasa resmi di organisasi internasional seperti Perserikatan Bangsa-Bangsa dan Komite Olimpiade Internasional, serta bahasa resmi di berbagai negara, seperti di Afrika SelatanBelizeFilipinaHong KongIrlandiaKanadaNigeriaSingapura, dan lainnya.
Di dunia bahasa Inggris merupakan bahasa kedua pertama yang dipelajari. Bahasa Inggris bisa menyebar karena pengaruh politik dan imperialisme Inggris dan selanjutnya Britania Raya di dunia. Salah satu pepatah Inggris zaman dahulu mengenai kerajaan Inggris yang disebut Imperium Britania (British Empire) adalah tempat “Matahari yang tidak pernah terbenam” (“where the sun never sets”).

Fonologi

Bahasa Inggris mempunyai 26 fonem yaitu 21 huruf mati dan 5 huruf hidup. Di samping itu sistem tata bahasanya sederhana, di mana:

Vokal

Dalam sistem bunyi vokal terdiri dari 5 buah yaitu a, e, i, o, dan u.

Konsonan

Catatan untuk konsonan
BilabialLabio-
dental
DentalAlveolarPost-
alveolar
PalatalVelarLabial-
velar
Glottal
Nasalmnŋ[cn 1]
Plosivep  bt  dk  ɡ
Affricatetʃ  dʒ[cn 2]
Fricativef  vθ  ð[cn 3]s  zʃ  ʒ[cn 2]ç[cn 4]x[cn 5]h
Flapɾ[cn 6]
Approximantɹ[cn 2]jʍ  w[cn 7]
Laterall
  1. ^ The velar nasal [ŋ] is a non-phonemic allophone of /n/ in some northerly British accents, appearing only before /k/and /ɡ/. In all other dialects it is a separate phoneme, although it only occurs in syllable codas.
  2. ^ a b c The sounds /ʃ//ʒ/, and /ɹ/ are labialised in some dialects. Labialisation is never contrastive in initial position and therefore is sometimes not transcribed. Most speakers of General American realise <r> (always rhoticised) as theretroflex approximant /ɻ/, whereas the same is realised inScottish English, etc. as the alveolar trill.
  3. ^ In some dialects, such as Cockney, the interdentals /θ/and /ð/ have usually merged with /f/ and /v/, and in others, like African American Vernacular English/ð/ has merged with dental /d/. In some Irish varieties, /θ/ and /ð/ become dental plosives, which then contrast with the usual alveolar plosives.
  4. ^ The voiceless palatal fricative /ç/ is in most accents just anallophone of /h/ before /j/; for instance human /çjuːmən/. However, in some accents (see this), the /j/ has dropped, but the initial consonant is the same.
  5. ^ The voiceless velar fricative /x/ is used by Scottish or Welsh speakers of English for Scots/Gaelic words such asloch /lɒx/ or by some speakers for loanwords from German and Hebrew like Bach /bax/ or Chanukah /xanuka/. /x/ is also used in South African English. In some dialects such asScouse (Liverpool) either [x] or the affricate [kx] may be used as an allophone of /k/ in words such as docker [dɒkxə].
  6. ^ The alveolar tap [ɾ] is an allophone of /t/ and /d/ in unstressed syllables in North American English andAustralian English.[1] This is the sound of tt or dd in the words latter and ladder, which are homophones for many speakers of North American English. In some accents such as Scottish English and Indian English it replaces /ɹ/. This is the same sound represented by single r in most varieties ofSpanish.
  7. ^ Voiceless w [ʍ] is found in Scottish and Irish English, as well as in some varieties of American, New Zealand, and English English. In most other dialects it is merged with /w/, in some dialects of Scots it is merged with /f/.

Sistem penulisan

Huruf besarHuruf kecilIPAHuruf besarHuruf kecilIPA
Aa/eɪ/Nn/ɛn/
Bb/biː/Oo/eoʊ/
Cc/siː/Pp/piː/
Dd/diː/Qq/kjuː/
Ee/iː/Rr/ɑr/
Ff/ɛf/Ss/ɛs/
Gg/dʒiː/Tt/tiː/
Hh/eɪtʃ/Uu/juː/
Ii/aɪ/Vv/viː/
Jj/dʒeɪ/Ww/ˈdʌbəljuː/
Kk/keɪ/Xx/ɛks/
Ll/ɛl/Yy/waɪ/
Mm/ɛm/Zz/ziː/

Tata bahasa

Tata bahasa Inggris memiliki variasi dalam struktur dan penggunaannya, itu tergantung tradisi yang digunakan oleh suatu negara yang dipengaruhi oleh bahasa asli dari negara tersebut. Secara umum, tata bahasa yang dipedomani adalah tata bahasa Inggris Amerika dan Inggris Britania Raya (British).

Sistem kala

Sistem kala dalam bahasa Inggris disebut tenseTense terbagi menjadi tiga yakni:
Dalam satu tense masing-masing terbagi menjadi empat yakni:
  • Simple
  • Continuous
  • Perfect
  • Perfect Continuous

Rumus sistem kala

  1. Kalimat positif
PastPresentFuturePast Future
SimpleS + Was/Were + KK2 + OS + KK1 + OS + Will + KK1 + OS + Would + KK1 + O
ContinuousS + Was/Were + KK-ing + OS + Am/Are/Is + KK-ing + OS + Will + Be + KK-ing + OS + Would + Be + KK-ing + O
PerfectS + Had + KK3 + OS + Have/Has + KK3 + OS + Will + Have/Has + KK3 + OS + Would + Have/Has + KK3 + O
Perfect ContinuousS + Had + Been + KK-ing + OS + Have/Has + Been + KK-ing + OS + Will + Have/Has + Been + KK-ing + OS + Would + Have/Has + Been + KK-ing + O
  1. Kalimat negatif

PastPresentFuturePast Future
SimpleS + Was/Were + Not + KK2 + OS + Do/Does + Not + KK1 + OS + Will + Not + KK1 + OS + Would + Not + KK1 + O
ContinuousS + Was/Were + Not + KK-ing + OS + Am/Are/Is + Not + KK-ing + OS + Will + Be + Not + KK-ing + OS + Would + Be + Not + KK-ing + O
PerfectS + Had + Not + KK3 + OS + Have/Has + Not + KK3 + OS + Will + Have/Has + Not + KK3 + OS + Would + Have/Has + Not + KK3 + O
Perfect ContinuousS + Had + Been + Not + KK-ing + OS + Have/Has + Been + Not + KK-ing + OS + Will + Have/Has + Been + Not + KK-ing + OS + Would + Have/Has + Been + Not + KK-ing + O

DRAM (Dynamic Random Access Memory)

Memori akses acak dinamis


Memori akses acak dinamis (bahasa Inggris: Dynamic random-access memory; disingkat DRAM) merupakan jenis random akses memori yang menyimpan setiap bit data yang terpisah dalam kapasitor dalam satu sirkuit terpadu. Karena kapasitornya selalu bocor, informasi yang tersimpan akhirnya hilang kecuali kapasitor itu disegarkan secara berkala. Karena kebutuhan dalam penyegaran, hal ini yang membuatnya sangat dinamis dibandingkan dengan memori (SRAM) statik memori dan lain-lain.
Keuntungan dari DRAM adalah kesederhanaan struktural: hanya satu transistor dan kapasitor yang diperlukan per bit, dibandingkan dengan empat di Transistor SRAM. Hal ini memungkinkan DRAM untuk mencapai kepadatan sangat tinggi. Tidak seperti flash memori, memori DRAM itu mudah "menguap" karena kehilangan datanya bila kehilangan aliran listrik.

Prinsip Kerja

DRAM biasanya diatur dalam persegi array satu kapasitor dan transistor per sel. Panjang garis yang menghubungkan setiap baris dikenal sebagai "baris kata". Setiap kolom sedikitnya terdiri dari dua baris, masing-masing terhubung ke setiap penyimpanan sel di kolom. Mereka biasanya dikenal sebagai + dan - bit baris. Amplifier perasa pada dasarnya adalah sepasang inverters lintas yang terhubung antara bit baris. Yakni, inverter pertama terhubung dari + bit baris ke - bit baris, dan yang kedua terhubung dari - baris ke bit + baris. Untuk membaca bit baris dari kolom, terjadi operasi berikut:
  1. Amplifier perasa dinonaktifkan dan bit baris di precharge ke saluran yang tepat sesuai dengan tegangan yang tinggi antara menengah dan rendahnya tingkat logika. Bit baris yang akan dibangun simetris agar mereka seimbang dan setepat mungkin.
  2. Precharge sirkuit dinonaktifkan. Karena bit baris yang sangat panjang, kapasitas mereka akan memegang precharge tegangan untuk waktu yang singkat. Ini adalah contoh dari logika dinamis.
  3. "Baris kata" yang dipilih digerakkan tinggi. Ini menghubungkan satu kapasitor penyimpanan dengan salah satu dari dua baris bit. Charge ini dipakai bersama-sama oleh penyimpanan sel terpilih dan bit baris yang sesuai, yang sedikit mengubah tegangan pada baris.Walaupun setiap usaha dilakukan untuk menjaga kapasitas di penyimpanan sel tinggi dan kapasitas dari baris bit rendah, Kapasitasnya proporsional sesuai ukuran fisik, dan panjang saluran bit baris yang berarti efek net yang sangat kecil gangguan per satu bit baris tegangan.
  4. Amplifier perasa diaktifkan. Tanggapan positif (Positive feedback) mengambil alih dan menperkecil perbedaan tegangan kecil sampai satu baris bit sepenuhnya rendah dan yang lain sepenuhnya tinggi.Pada tahap ini, baris "terbuka" dan kolom dapat dipilih.
  5. Read data from the DRAM is taken from the sense amplifiers, selected by the column address. Membaca data dari DRAM diambil dari amplifiers perasa, dipilih oleh kolom alamat. Banyak proses membaca dapat dilakukan saat baris terbuka dengan cara ini.
  6. Sambil membaca, saat ini mengalir cadangan yang bit baris dari perasa amplifiers untuk penyimpanan sel. Ini kembali dalam charge (refresh) penyimpanan sel. Karena panjang bit baris, hal ini membutuhkan waktu yang cukup lama pada perasa amplifikasi, dan tumpang tindih dengan satu atau lebih kolom.
  7. Saat selesai dengan baris saat ini, baris kata dinonaktifkan untuk penyimpanan kapasitor (baris "tertutup"), perasa amplifier dinonaktifkan, dan bit baris diprecharged lagi.
Biasanya, produsen menetapkan bahwa setiap baris harus refresh setiap 64 ms atau kurang, menurut standar JEDEC . Refresh logika umumnya digunakan dengan DRAMs untuk me-refresh secara otomatis. Hal ini membuat sirkuit yang lebih rumit, tetapi ini biasanya kekecewaan terhapuskan oleh fakta bahwa DRAM adalah lebih murah dan kapasitas lebih besar dari SRAM. Beberapa sistem refresh setiap baris dalam sebuah lingkaran yang ketat terjadi sekali setiap 64 ms.Sistem lain refresh satu baris pada satu waktu - misalnya, dengan sistem 2 13 = 8192 baris akan memerlukan refresh rate dari satu baris setiap 7,8 μs (64 ms / 8192 baris). Beberapa waktu-nyata sistem refresh sebagian memori pada satu waktu berdasarkan waktu eksternal yang memerintah pengoperasian dari sistem, seperti blanking interval vertikal yang terjadi setiap 10 sampai 20 ms video dalam peralatan. Semua metode memerlukan beberapa jenis counter untuk melacak yang baris berikutnya adalah untuk refresh. Hampir semua DRAM chips yang memasukan counter; beberapa jenis yang tua memerlukan refresh logika eksternal. (Pada beberapa kondisi, sebagian besar data di DRAM dapat dipulihkan walaupun belum DRAM refresh selama beberapa menit.)

Waktu Memori(Memory Timing)

"50 ns""60 ns"Deskripsi
tRC84 ns104 nsSiklus waktu membaca atau menulis random
tRAC50 ns60 nsWaktu akses: / RAS rendah untuk keluar data yang valid
tRCD11 ns14 ns/Rendah untuk RAS / CAS rendah waktu
tRAS50 ns60 ns/RAS lebar pulse (minimum / RAS rendah waktu)
tRP30 ns40 ns/Waktu RAS precharge (minimal / RAS tinggi waktu)
tPC20 ns25 nsSiklus waktu membaca atau menulis mode halaman (/CAS to /CAS)
tAA25 ns30 nsWaktu akses: Kolom alamat sah berlaku data keluar
tCAC13 ns15 nsWaktu akses: / CAS berlaku rendah untuk keluar data
tCAS8 ns10 ns/CAS rendah lebar pulse minimum

Kemasan DRAM

Dinamis random akses memori yang diproduksi sebagai sirkuit terpadu(ICS) disimpan dalam gudang dan dimount ke dalam paket plastik dengan logam pin untuk koneksi ke kontrol sinyal dan bus. Saat ini, ini adalah paket DRAM pada umumnya sering dikumpulkan ke modul plug-in untuk penanganan lebih mudah. Beberapa jenis modul standar adalah:
  • DRAM chip (Integrated Circuit or IC)
    • Dual in-line Package (DIP)
  • DRAM (memory) modules
    • Single In-line Pin Package (SIPP)
    • Single In-line Memory Module (SIMM)
    • Dual In-line Memory Module (DIMM)
    • Rambus In-line Memory Module (RIMM), teknisnya DIMMs tetapi disebut RIMMs karena keeksklusifan slot.
    • Small outline DIMM (SO-DIMM), sekitar setengah ukuran DIMMs biasa, sebagian besar digunakan dalam notebook,komputer ukuran kecil (seperti mini-ITX Motherboard), upgradable kantor printer dan perangkat keras jaringan seperti router. Datang dalam versi:
      • 72 pins (32-bit)
      • 144 pins (64-bit) yang digunakan untuk PC100/PC133 SDRAM
      • 200 pins (72-bit) yang digunakan untuk DDR and DDR2
      • 204 pin (72-bit) yang digunakan untuk DDR3
    • Small outline RIMM (SO-RIMM).Versi yang lebih kecil RIMM, yang digunakan pada laptop. Teknis SO-DIMMs tetapi disebut-SO RIMMs karena keeksklusifan slot
  • Stacked v. non-stacked RAM modules
    • Stacked RAM modules berisi dua atau lebih RAM chips ditumpuk di atas satu sama lain. This allows large modules (like 512mb or 1Gig SO-DIMM) to be manufactured using cheaper low density wafers. Hal ini memungkinkan modul besar (seperti 1Gig atau 512mb SO-DIMM)diproduksi murah dengan kepadatan rendah.Stacked chip mendatangkan lebih banyak tenaga listrik.
Modul DRAM Umum
  1. DIP 16-pin (DRAM chip, biasanya pra-FPRAM)
  2. SIPP (usually FPRAM)
  3. SIMM 30-pin (biasanya FPRAM)
  4. SIMM 72-pin (sering EDO RAM tetapi FPM tidak biasa)
  5. DIMM 168-pin (SDRAM)
  6. DIMM 184-pin (DDR SDRAM)
  7. RIMM 184-pin (RDRAM)
  8. DIMM 240-pin (DDR2 SDRAM/DDR3 SDRAM)